H-Bruecke aus ft:pedia 2/22

Ersatz- und Fremdteile, Modifikationen, etc.
Special Hints - Spare- & foreign parts, Modifications, etc.

Moderator: Jan3D

Forumsregeln
Bitte beachte die Forumsregeln!
Antworten
jona2004
Beiträge: 149
Registriert: 10 Jun 2011, 22:30

Re: ft:pedia 2/2022 ist da

Beitrag von jona2004 » 26 Jun 2022, 12:04

Hallo,
Erstmal vielen Dank and alle Autoren und Herausgeber der ft:pedia ein tolles Heft!
Es hat mich motiviert im Thread "Silberlinge" etwas zum Thema Simulation derselben zu schreiben.
Zum Beitrag H-Brücke Abb17 möchte ich anregen, die Ansteuerung der Transistoren T1, T2 etwas abzuändern. R10 rausnehmen und zur Basis, Masse verschieben. Mit R11, auf etwa 10k umdimensionieren und R10neu auf 2K2 sollte sich ein passender Spannungsteiler ergeben. Das belastet den Ausgang vom TX, TXT, .. deutlich weniger und schaltet den T1 schneller ab. (Das kann auch gerne in eigenen Thread verschoben werden)
Schönen Sonntag Joachim

Pinot
Beiträge: 55
Registriert: 23 Nov 2021, 15:24
Wohnort: Pfalz

H-Bruecke aus ft:pedia 2/22

Beitrag von Pinot » 26 Jun 2022, 17:34

Joachim schreibt:

"Zum Beitrag H-Brücke Abb17 möchte ich anregen, die Ansteuerung der Transistoren T1, T2 etwas abzuändern. R10 rausnehmen und zur Basis, Masse verschieben. Mit R11, auf etwa 10k umdimensionieren und R10neu auf 2K2 sollte sich ein passender Spannungsteiler ergeben. Das belastet den Ausgang vom TX, TXT, .. deutlich weniger und schaltet den T1 schneller ab."

Wenn man sich die Schaltung anschaut kann man sich fragen, was denn R10 dort überhaupt soll. Und das ganz unabhängig davon ob ohne Levelshifter in Abb. 11, mit MOSFET-Shifter in Abb. 16 oder mit Bipolar-Shifter in Abb. 17. Gut, bei einem MOSFET sollte man dem Gate immer über einen Widerstand ein festes Potenzial geben, gerade wenn der Eingang unbeschaltet sein kann. Aber bei einem Bipolartransistor?

Dies hängt mit einem Phänomen des TXT-Ausgangs zusammen. Und zwar schaltet der ohne externe Last nur recht träge von VCC auf GND. Ein klein wenig erkennt man das (noch) in Abb. 18 am Signal TXT_OUT. Im Gegensatz zur positiven Flanke zeigt die negative Flanke einen eher exponentiellen Abfall. Und dieser exponentielle Abfall ist umso stärker ausgeprägt, je kleiner die Belastung ist. D.h. kleine Last (großer Widerstand), langsamer Abfall, große Last (kleiner Widerstand), schneller Abfall. Warum das so ist, ist mir auch nach dem Studium des MC33879- Datenblatts unklar. Aber daher hab ich R10 und R20 so gewählt, das völlig absichtlich rund 40mA im Maximalfall gezogen werden. Eine rein experimentelle Erkenntnis.

"Das belastet den Ausgang vom TX, TXT, .. deutlich weniger" - will sagen, die Belastung ist Absicht. It's not a bug, but a feature ;) Und die 40mA verkraftet der TXT, auch an vier Ausgängen gleichzeitig, recht easy.

Antworten